Produkte > ROHM > RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL ROHM

rd3l08bgntl-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RD3L08BGNTL ROHM

Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3L08BGNTL nach Preis ab 2.24 EUR bis 6.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.56 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.87 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.56 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.87 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+4.13 EUR
100+3.28 EUR
250+3.03 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+5.47 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM rd3l08bgntl-e.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
53+4.43 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.56 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.87 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.56 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.87 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.96 EUR
10+4.13 EUR
100+3.28 EUR
250+3.03 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.09 EUR
10+5.47 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.93 EUR
53+4.43 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH