RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 39+ | 3.83 EUR |
| 50+ | 3.55 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.88 EUR |
| 1000+ | 2.69 EUR |
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Technische Details RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RD3L08BGNTL nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. |
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RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
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RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 119W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 71nC On-state resistance: 8.1mΩ Power dissipation: 119W Drain current: 80A Pulsed drain current: 160A |
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