RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.87 EUR |
| 50+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 250+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.91 EUR |
| 1000+ | 2.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RD3L08BGNTL nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 119W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RD3L08BGNTL SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
Produkt ist nicht verfügbar |