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RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL ROHM

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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Verlustleistung Pd: 119W
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Verlustleistung: 119W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
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Technische Details RD3L08BGNTL ROHM

Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 119W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
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