RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor


rd3l08bgntl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : ROHM Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : ROHM 3679890.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : ROHM 3679890.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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RD3L08BGNTL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rd3l08bgntl-e.pdf RD3L08BGNTL SMD N channel transistors
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RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Hersteller : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
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