Technische Details RD3L08DBLHRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.
Weitere Produktangebote RD3L08DBLHRBTL nach Preis ab 1.33 EUR bis 5.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RD3L08DBLHRBTL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3L08DBLHRBTL | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3L08DBLHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08DBLHRBTL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 2500+ | 1.33 EUR |
| RD3L08DBLHRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.52 EUR |
| 10+ | 2.9 EUR |
| 50+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| RD3L08DBLHRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 44+ | 5.77 EUR |
| 68+ | 3.44 EUR |