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RD3L08DBLHRBTL

RD3L08DBLHRBTL ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Technische Details RD3L08DBLHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3L08DBLHRBTL RD3L08DBLHRBTL ROHM rd3l08dblhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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RD3L08DBLHRBTL rd3l08dblhrbtl-e.pdf
RD3L08DBLHRBTL
Hersteller: ROHM
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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