RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
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| 2+ | 2.36 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
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| 500+ | 1.00 EUR |
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Technische Details RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.181 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.181ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RD3P01BATTL1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 2.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RD3P01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
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RD3P01BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.181 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.181ohm SVHC: To Be Advised |
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RD3P01BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.181 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.181ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3P01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3P01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
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