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RD3P01BATTL1

RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
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7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
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Technische Details RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RD3P01BATTL1 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2384 Stücke:
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79+3.2 EUR
104+2.25 EUR
153+1.4 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
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100+3.2 EUR
104+2.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 2370 Stücke:
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1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.94 EUR
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RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor rd3p01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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102+1.69 EUR
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1000+0.99 EUR
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RD3P01BATTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
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Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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111+1.51 EUR
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500+1.24 EUR
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