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RD3P03BBHTL1

RD3P03BBHTL1 Rohm Semiconductor

rd3p03bbhtl1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1451 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.57 EUR
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Technische Details RD3P03BBHTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3P03BBHTL1 RD3P03BBHTL1 ROHM rd3p03bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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RD3P03BBHTL1 RD3P03BBHTL1 ROHM rd3p03bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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RD3P03BBHTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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52+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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RD3P03BBHTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P03BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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