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RD3P07BBHTL1

RD3P07BBHTL1 ROHM

rd3p07bbhtl1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.62 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details RD3P07BBHTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RD3P07BBHTL1 nach Preis ab 2.37 EUR bis 9.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3P07BBHTL1 RD3P07BBHTL1 Rohm Semiconductor rd3p07bbhtl1-e.pdf Description: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RD3P07BBHTL1 RD3P07BBHTL1 ROHM Semiconductor rd3p07bbhtl1-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.64 EUR
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RD3P07BBHTL1 RD3P07BBHTL1 ROHM rd3p07bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3P07BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
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42+5.59 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
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RD3P07BBHTL1
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hazardous: false
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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