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RD3P08BBDTL

RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.63 EUR
5000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3P08BBDTL nach Preis ab 2.34 EUR bis 6.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL ROHM datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL ROHM datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
62+3.78 EUR
100+2.74 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
10+4.84 EUR
100+3.86 EUR
500+3.26 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 80A(Id), (6.0V Drive)
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
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RD3P08BBDTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RD3P08BBDTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P08BBDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0086 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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100+2.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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RD3P08BBDTL datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P08BBDTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+4.84 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 80A(Id), (6.0V Drive)
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.72 EUR
10+4.41 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH