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RD3R05BBHTL1

RD3R05BBHTL1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
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Technische Details RD3R05BBHTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RD3R05BBHTL1 nach Preis ab 4.55 EUR bis 6.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3R05BBHTL1 RD3R05BBHTL1 ROHM Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
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RD3R05BBHTL1 RD3R05BBHTL1 ROHM Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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