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RDBLS207G C1G Taiwan Semiconductor


rdbls207g_b2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
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Technische Details RDBLS207G C1G Taiwan Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBLS, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RDBLS207G C1G RDBLS207G C1G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
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RDBLS207G C1G RDBLS207G C1G Hersteller : Taiwan Semiconductor RDBLS207G_A15-1918290.pdf Bridge Rectifiers 300ns 2A 1000V Fast Recovery Bridge Rect
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