
RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.04 EUR |
6000+ | 0.039 EUR |
9000+ | 0.035 EUR |
21000+ | 0.033 EUR |
30000+ | 0.032 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RE1C002UNTCL nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.3 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 26261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 242862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89 Mounting: SMD Case: SC89 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89 Mounting: SMD Case: SC89 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A |
auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 252224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
RE1C002UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
![]() |
RE1C002UNTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |