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RE1C002UNTCL

RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

re1c002untcl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.073 EUR
42000+0.065 EUR
63000+0.06 EUR
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Technische Details RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RE1C002UNTCL nach Preis ab 0.043 EUR bis 0.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 26261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2208+0.079 EUR
2500+0.075 EUR
5000+0.071 EUR
10000+0.068 EUR
25000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 2208 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.062 EUR
21000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 242862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1444+0.12 EUR
2000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.062 EUR
12000+0.051 EUR
24000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM Semiconductor re1c002untcl-e.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 77015 Stücke:
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10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 803530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1309+0.17 EUR
1799+0.12 EUR
2289+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
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RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
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820+0.29 EUR
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RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
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25000+0.065 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.062 EUR
21000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
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2000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.062 EUR
12000+0.051 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
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RE1C002UNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 803530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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140+0.15 EUR
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1000+0.096 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2289+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
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RE1C002UNTCL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
503+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1309+0.17 EUR
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2289+0.094 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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