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RF4E070BNTR1

RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor

rf4e070bntr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
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Technische Details RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor rf4e070bntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
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Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 ROHM Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
auf Bestellung 2760 Stücke:
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135+1.86 EUR
183+1.27 EUR
297+0.73 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 ROHM Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
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