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RF4E110GNTR

RF4E110GNTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
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Technische Details RF4E110GNTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
307+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
254+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
254+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 4932 Stücke:
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3+1.55 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
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RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
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500+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
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RF4E110GNTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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RF4E110GNTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
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100+0.63 EUR
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1000+0.43 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
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