Technische Details RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm.
Weitere Produktangebote RF4G100BGTCR nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4G100BGTCR | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A |
auf Bestellung 7380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RF4G100BGTCR | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020-8S Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RF4G100BGTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm |
auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
RF4G100BGTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm |
auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RF4G100BGTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF4G100BGTCR |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
auf Bestellung 7380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.62 EUR |
| RF4G100BGTCR |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.7 EUR |
| 13+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| RF4G100BGTCR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.57 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 191+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| RF4G100BGTCR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.57 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 191+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| RF4G100BGTCR |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)