RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 202+ | 0.87 EUR |
| 203+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RF4L040ATTCR nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RF4L040ATTCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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RF4L040ATTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF4L040ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 186+ | 1.01 EUR |
| RF4L040ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.48 EUR |
| 14+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| RF4L040ATTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RF4L040ATTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)