RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RF4L040ATTCR nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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RF4L040ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 2739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V |
auf Bestellung 5933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
auf Bestellung 3472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4L040ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF4L040ATTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RF4L040ATTCR SMD P channel transistors |
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