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RF4L040ATTCR

RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

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Technische Details RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RF4L040ATTCR nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 2739 Stücke:
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173+0.85 EUR
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.95 EUR
20+0.92 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -60V -4A Power, DFN2020, MOSFET
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100+0.85 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 2970 Stücke:
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93+1.61 EUR
189+0.76 EUR
207+0.67 EUR
208+0.64 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : ROHM rf4l040attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Hersteller : ROHM rf4l040attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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