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RF4P025ATTCR

RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

rf4p025attcr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
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Technische Details RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
auf Bestellung 2020 Stücke:
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11+1.67 EUR
17+1.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1833 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1184 Stücke:
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1184 Stücke:
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
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RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
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