RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor
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Technische Details RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RF4P025ATTCR nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RF4P025ATTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
auf Bestellung 1836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V |
auf Bestellung 2022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RF4P025ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V |
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