RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor
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Technische Details RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.
Weitere Produktangebote RF4P025ATTCR nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RF4P025ATTCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm |
auf Bestellung 3401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm |
auf Bestellung 3401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF4P025ATTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 1.55 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 1.55 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 180+ | 1.95 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.18 EUR |
| 16+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.9 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 236+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| RF4P025ATTCR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.9 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 236+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| RF4P025ATTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)