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RF4P060BGTCR

RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor


rf4p060bgtcr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
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Technische Details RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
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100+ 0.88 EUR
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RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Hersteller : ROHM Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf MOSFET RF4P060BG is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for switching.
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10+ 1.29 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
3000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Hersteller : ROHM rf4p060bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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hazardous: false
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Hersteller : ROHM rf4p060bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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RF4P060BGTCR Hersteller : Rohm Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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