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Technische Details RF6C055BCTCR ROHM Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -5.5A, Pulsed drain current: -18A, Power dissipation: 1W, Case: SOT363T, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 25.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote RF6C055BCTCR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| RF6C055BCTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: SOT363T Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 25.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RF6C055BCTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6 |
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RF6C055BCTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6 |
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| RF6C055BCTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: SOT363T Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 25.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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