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RF6L025BGTCR

RF6L025BGTCR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOT363 N-CH 60V 2.5A
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Technische Details RF6L025BGTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RF6L025BGTCR nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 2.5A, TUMT6, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2950 Stücke:
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26+0.82 EUR
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RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR ROHM rf6l025bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR ROHM rf6l025bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2.5A, TUMT6, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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RF6L025BGTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: To Be Advised
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