RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y8LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.24 EUR |
| 13+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
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Technische Details RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RF7G120BJFRATCR nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RF7G120BJFRATCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A |
auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF7G120BJFRATCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF7G120BJFRATCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: DFN2020Y8LSAA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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