| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.36 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details RF7G120BKFRATCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RF7G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0185 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RF7G120BKFRATCR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RF7G120BKFRATCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF7G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0185 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |