RF9G120BKFRATCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details RF9G120BKFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RF9G120BKFRATCR nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RF9G120BKFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF9G120BKFRATCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF9G120BKFRATCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.9 EUR |
| RF9G120BKFRATCR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.79 EUR |
| RF9G120BKFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.37 EUR |
| 11+ | 2.08 EUR |
| 25+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 250+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| RF9G120BKFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 162+ | 1.07 EUR |
| 250+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2500+ | 0.87 EUR |
| RF9G120BKFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)