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RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A UMW

fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details RFD12N06RLESM9A UMW

Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 49W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A ONSEMI RFD12N06RLESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 49W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 55
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi / Fairchild RFD12N06RLESM-D.pdf MOSFETs 60V Single
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.15 EUR
100+0.88 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi rfd12n06rlesm-d.pdf fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf MOSFETs 60V Single
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.45 EUR
100+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A onsemi rfd12n06rlesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A ONSEMI rfd12n06rlesm-d.pdf fb3764fd41f89189020645f8fe6d77c1.pdf Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM.pdf
RFD12N06RLESM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 49W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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RFD12N06RLESM9A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Single
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RFD12N06RLESM9A
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V Single
auf Bestellung 4418 Stücke:
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2+2.22 EUR
10+1.45 EUR
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RFD12N06RLESM9A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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RFD12N06RLESM9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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