RFD12N06RLESM9A ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 56+ | 1.29 EUR |
| 74+ | 0.98 EUR |
| 94+ | 0.77 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
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Technische Details RFD12N06RLESM9A ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 49W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote RFD12N06RLESM9A nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2096 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V Single |
auf Bestellung 7896 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 49W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 4941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD12N06RLESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 49W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 4941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RFD12N06RLESM9A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
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