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RFD14N05LSM

RFD14N05LSM ON Semiconductor

rfd14n05lsm-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details RFD14N05LSM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI RFD14N05L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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72+1.01 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
150+0.69 EUR
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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177+0.81 EUR
242+0.57 EUR
300+0.51 EUR
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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106+1.35 EUR
159+0.87 EUR
218+0.61 EUR
300+0.54 EUR
5025+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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12+1.55 EUR
75+0.69 EUR
150+0.64 EUR
525+0.62 EUR
1050+0.61 EUR
5025+0.57 EUR
10050+0.56 EUR
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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RFD14N05LSM Hersteller : Fairchild Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
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RFD14N05LSM Hersteller : ON-Semicoductor rfd14n05lsm-d.pdf 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM
Produktcode: 119555
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rfd14n05lsm-d.pdf 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM
Produktcode: 21982
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Hersteller : Intersil RFD14N05L_.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252AA
Uds,V: 50
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
JHGF: SMD
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI RFD14N05L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
95+0.76 EUR
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : UMW 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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1000+0.44 EUR
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : onsemi / Fairchild rfd14n05lsm-d.pdf 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf MOSFETs TO-252AA N-Ch Power
auf Bestellung 9879 Stücke:
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10+1.56 EUR
75+0.76 EUR
525+0.70 EUR
1050+0.65 EUR
5025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : UMW 4c5b209afc4dc89f8599305bca5b1087.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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