RFD16N03LSM Harris Corporation
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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Technische Details RFD16N03LSM Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| RFD16N03LSM |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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