Produkte > ONSEMI > RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A ONSEMI

RFD16N06LESM.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.8 EUR
38+2.25 EUR
43+2.01 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RFD16N06LESM9A ONSEMI

Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RFD16N06LESM9A nach Preis ab 1.55 EUR bis 4.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A onsemi / Fairchild RFD16N06LESM-D.pdf MOSFETs 60V Single
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.34 EUR
100+1.86 EUR
500+1.64 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A onsemi rfd16n06lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI rfd16n06lesm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A ONSEMI rfd16n06lesm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM-D.pdf
RFD16N06LESM9A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Single
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.98 EUR
10+2.34 EUR
100+1.86 EUR
500+1.64 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.94 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD16N06LESM9A rfd16n06lesm-d.pdf
RFD16N06LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH