RFD16N06LESM9A onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.26 EUR |
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Technische Details RFD16N06LESM9A onsemi
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RFD16N06LESM9A nach Preis ab 0.99 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 62nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 62nC |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V Single |
auf Bestellung 3733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RFD16N06LESM9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |