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RFD3055LESM9A ON Semiconductor

Name: RFD3055LESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 16068252-5
Price: 975 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details RFD3055LESM9A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RFD3055LESM9A nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.50 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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RFD3055LESM9A

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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215+	0.68 EUR
219+	0.65 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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199+	0.74 EUR
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RFD3055LESM9A

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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19+	0.93 EUR
27+	0.65 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.48 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs Power MOSFET

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3+	1.00 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.44 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEE558ACB94745&compId=RFD3055LESM.pdf?ci_sign=129cc0944e6a4e688008b2cf6f899e1a94afbadf

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
48+	1.50 EUR
102+	0.71 EUR
126+	0.57 EUR
144+	0.50 EUR
152+	0.47 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ONSEMI

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102+	0.71 EUR
126+	0.57 EUR
144+	0.50 EUR
152+	0.47 EUR

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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RFD3055LESM9A

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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RFD3055LESM9A
Produktcode: 170591

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