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RFD3055LESM9A

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Produktcode: 170591
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.65 EUR
272+0.64 EUR
276+0.62 EUR
279+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI RFD3055LESM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.73 EUR
144+0.6 EUR
160+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.88 EUR
274+0.63 EUR
280+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ON Semiconductor rfd3055lesm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
269+0.63 EUR
272+0.61 EUR
276+0.57 EUR
279+0.55 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
282+0.82 EUR
289+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 17578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A onsemi rfd3055lesm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 85097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.63 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RFD3055LESM9A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
269+0.65 EUR
272+0.64 EUR
276+0.62 EUR
279+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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RFD3055LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+0.73 EUR
144+0.6 EUR
160+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
201+0.88 EUR
274+0.63 EUR
280+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
190+0.93 EUR
269+0.63 EUR
272+0.61 EUR
276+0.57 EUR
279+0.55 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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RFD3055LESM9A ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD3055LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
282+0.82 EUR
289+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 17578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.43 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD3055LESM9A rfd3055lesm-d.pdf
RFD3055LESM9A
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 85097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
10+1.63 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFD3055LESM9A ONSM-S-A0003589376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD3055LESM9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD3055LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.107 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH