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RFN3BGE2STL

RFN3BGE2STL ROHM Semiconductor

datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode
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Technische Details RFN3BGE2STL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 40A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote RFN3BGE2STL nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFN3BGE2STL RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 2486 Stücke:
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10+2.23 EUR
11+1.99 EUR
100+1.55 EUR
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RFN3BGE2STL RFN3BGE2STL ROHM datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
158+1.48 EUR
189+1.13 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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RFN3BGE2STL RFN3BGE2STL ROHM datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1734 Stücke:
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1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RFN3BGE2STL datasheet?p=RFN3BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE2STL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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RFN3BGE2STL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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158+1.48 EUR
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RFN3BGE2STL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFN3BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.2 EUR
158+1.48 EUR
189+1.13 EUR
500+0.94 EUR
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