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RFP50N06 ON

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Produktcode: 182601
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
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RFP50N06 RFP50N06 ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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RFP50N06 HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
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RFP50N06 HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
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RFP50N06 HARRIS rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw RFP50N06
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RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 184 Stücke:
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39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
47+1.54 EUR
50+1.52 EUR
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RFP50N06 RFP50N06 Harris Corporation FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 665 Stücke:
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189+2.4 EUR
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RFP50N06 RFP50N06 onsemi rfp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
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4+4.59 EUR
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RFP50N06 RFP50N06 onsemi rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
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RFP50N06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP50N06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 329 Stücke:
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RFP50N06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
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Anzahl Preis
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RFP50N06
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
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RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 962 Stücke:
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Hersteller: HARRIS
RFP50N06
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Anzahl Preis
237+2.29 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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Hersteller: HARRIS
RFP50N06
auf Bestellung 8046 Stücke:
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Anzahl Preis
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500+2.03 EUR
1000+1.83 EUR
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Hersteller: HARRIS
RFP50N06
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.29 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.83 EUR
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RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
47+1.54 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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RFP50N06 FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP50N06
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 665 Stücke:
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Anzahl Preis
189+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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RFP50N06
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.59 EUR
50+2.29 EUR
100+2.06 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP50N06
Hersteller: onsemi
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.61 EUR
10+2.31 EUR
100+2.06 EUR
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