Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RFV12TG6SGC9
RFV12TG6SGC9

RFV12TG6SGC9 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RFV12TG6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 12A Io Recovery Diode
auf Bestellung 718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+2.34 EUR
100+1.88 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RFV12TG6SGC9 ROHM Semiconductor

Description: DIODE STD 600V 12A TO220ACFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Weitere Produktangebote RFV12TG6SGC9 nach Preis ab 1.32 EUR bis 3.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RFV12TG6SGC9 RFV12TG6SGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV12TG6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STD 600V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.04 EUR
10+1.98 EUR
100+1.61 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH