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RGS00TS65EHRC11

RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor

rgs00ts65ehr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 113 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RGS00TS65EHRC11 RGS00TS65EHRC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS00TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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RGS00TS65EHRC11 RGS00TS65EHRC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS00TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
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