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RGS00TS65HRC11

RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.

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RGS00TS65HRC11 RGS00TS65HRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS00TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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RGS00TS65HRC11 RGS00TS65HRC11 ROHM rgs00ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGS00TS65HRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS00TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 326W; TO247-3; Eoff: 1.29mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 88A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 36ns
Turn-off switching energy: 1.29mJ
Turn-on switching energy: 1.46mJ
Technology: Field Stop; Trench
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IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Description: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 326W; TO247-3; Eoff: 1.29mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 88A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
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Technology: Field Stop; Trench
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