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RGS80TS65DHRC11

RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 73A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N, Power - Max: 272 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Gate Charge: 48 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor rgs80ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 73A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
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RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
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Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
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