Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11

RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor

rgs80tsx2hr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+10.39 EUR
25+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.

Weitere Produktangebote RGS80TSX2HRC11 nach Preis ab 10.00 EUR bis 20.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RGS80TSX2HRC11 RGS80TSX2HRC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 1200V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TSX2HR is a highly reliable IGBT for automotive inverter, heater.
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.35 EUR
10+17.34 EUR
25+10.89 EUR
100+10.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS80TSX2HRC11 RGS80TSX2HRC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns
Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.03 EUR
30+12.02 EUR
120+10.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS80TSX2HRC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS80TSX2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH