RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 404W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RGSX5TS65EGC11 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 404W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A |
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RGSX5TS65EGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 8?s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
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