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RGT00TS65DGC11 ROHM Semiconductor


rgt00ts65d-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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Technische Details RGT00TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 277 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT00TS65DGC11 RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt00ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 277 W
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30+7.19 EUR
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RGT00TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR rgt00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
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RGT00TS65DGC11 rgt00ts65d-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/137ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 277 W
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RGT00TS65DGC11 rgt00ts65d-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
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