Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT16TM65DGC9
RGT16TM65DGC9

RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs RGT16TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder.
auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+3.48 EUR
100+2.75 EUR
250+2.53 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.88 EUR
5000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO-220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns, Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 9 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 22 W.

Weitere Produktangebote RGT16TM65DGC9 nach Preis ab 1.78 EUR bis 5.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RGT16TM65DGC9 RGT16TM65DGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO-220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 22 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.21 EUR
10+3.40 EUR
100+2.36 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT16TM65DGC9 RGT16TM65DGC9 Hersteller : ROHM datasheet?p=RGT16TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGT16TM65DGC9 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 22 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH