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RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT30NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
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Technische Details RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 133 W.

Weitere Produktangebote RGT30NS65DGTL nach Preis ab 2.42 EUR bis 5.98 EUR

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RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT30NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors 650V 15A IGBT Stop Trench
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RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
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RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Hersteller : ROHM ROHM-S-A0001752811-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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