RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorIGBT Transistors RGT30TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder.
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Technische Details RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220NFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RGT30TM65DGC9 nach Preis ab 2.69 EUR bis 4.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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RGT30TM65DGC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220NFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 32 W |
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RGT30TM65DGC9 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220NFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGT30TM65DGC9 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 16W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RGT30TM65DGC9 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 16W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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