RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 6.69 EUR |
| 10+ | 4.44 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
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Technische Details RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 194 W.
Weitere Produktangebote RGT50NS65DGTL nach Preis ab 2.77 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
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