RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.69 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 4.06 EUR |
| 500+ | 3.36 EUR |
| 1000+ | 3.33 EUR |
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Technische Details RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM, Mounting: SMD, Power dissipation: 23W, Gate charge: 49nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 75A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Case: TO220NFM, Turn-off time: 210ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 13A, Collector-emitter voltage: 650V.
Weitere Produktangebote RGT50TM65DGC9 nach Preis ab 3.43 EUR bis 8.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGT50TM65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGT50TM65DGC9 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 8.85 EUR |
| 50+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.43 EUR |