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RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt60ts65dgc13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt60ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM rgt60ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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20+11.77 EUR
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RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
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RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
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1+21.42 EUR
10+14.83 EUR
100+11.09 EUR
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RGT60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
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 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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RGT60TS65DGC13 rgt60ts65dgc13-e.pdf
RGT60TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RGT60TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 1215 Stücke:
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