RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 35+ | 4.23 EUR |
| 50+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.65 EUR |
| 250+ | 3.40 EUR |
| 500+ | 3.18 EUR |
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Technische Details RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.
Weitere Produktangebote RGT60TS65DGC13 nach Preis ab 6.65 EUR bis 17.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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RGT60TS65DGC13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 194 W |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT60TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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