RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
34+ | 4.71 EUR |
50+ | 4.37 EUR |
100+ | 4.06 EUR |
250+ | 3.79 EUR |
500+ | 3.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.
Weitere Produktangebote RGT60TS65DGC13 nach Preis ab 3.54 EUR bis 16.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
RGT60TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 194 W |
auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
RGT60TS65DGC13 | Hersteller : ROHM Semiconductor | IGBT Transistors TO247GE 650V TRNCH 30A |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
RGT60TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |