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RGT8BM65DGTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGT8BM65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.26 EUR
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Technische Details RGT8BM65DGTL1 Rohm Semiconductor

Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-252GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 62 W.

Weitere Produktangebote RGT8BM65DGTL1 nach Preis ab 1.19 EUR bis 5.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT8BM65DGTL1 RGT8BM65DGTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT8BM65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2+3 EUR
10+2.45 EUR
100+1.92 EUR
500+1.63 EUR
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RGT8BM65DGTL1 RGT8BM65DGTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8BM65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
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25+2.53 EUR
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RGT8BM65DGTL1 RGT8BM65DGTL1 ROHM 4155173.pdf Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
106+2.02 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RGT8BM65DGTL1 RGT8BM65DGTL1 ROHM 4155173.pdf Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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47+5.34 EUR
73+3.18 EUR
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RGT8BM65DGTL1 datasheet?p=RGT8BM65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
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IGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
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RGT8BM65DGTL1 datasheet?p=RGT8BM65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
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Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
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Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
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RGT8BM65DGTL1 4155173.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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100+3.18 EUR
106+2.02 EUR
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RGT8BM65DGTL1 4155173.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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