RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
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|---|---|
| 10+ | 5.36 EUR |
| 12+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| 250+ | 3.41 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
| 1000+ | 2.56 EUR |
| 2500+ | 2.37 EUR |
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Technische Details RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252, Case: TO252, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 8A, Pulsed collector current: 12A, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 158ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 31W, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 13.5nC, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| RGT8BM65DTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Case: TO252 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 13.5nC Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGT8BM65DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
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RGT8BM65DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
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| RGT8BM65DTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Case: TO252 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 31W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 13.5nC Mounting: SMD |
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