RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.65 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
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Technische Details RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.
Weitere Produktangebote RGT8NL65DGTL nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGT8NL65DGTL | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 13.5 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 65 W |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT8NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT8NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 63 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGT8NL65DGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.09 EUR |
| 10+ | 3.3 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| RGT8NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.22 EUR |
| RGT8NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)