Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT8NS65DGC9
RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
50+1.09 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.

Weitere Produktangebote RGT8NS65DGC9 nach Preis ab 1.39 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Hersteller : ROHM 2818170.pdf Description: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH