RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.75 EUR |
| 50+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.
Weitere Produktangebote RGT8NS65DGC9 nach Preis ab 1.65 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT8NS65DGC9 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
RGT8NS65DGC9 | ROHM |
Description: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
 |
RGT8NS65DGC9 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGT8NS65DGC9 |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| RGT8NS65DGC9 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RGT8NS65DGC9 |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)