Technische Details RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGTH00TS65DGC13 nach Preis ab 6.75 EUR bis 14.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGTH00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTH00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTH00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G Power - Max: 277 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Gate Charge: 94 nC Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns IGBT Type: Trench Field Stop Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-247G Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 54 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTH00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTH00TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 13.26 EUR |
| 50+ | 8.95 EUR |
| 100+ | 8.6 EUR |
| RGTH00TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.83 EUR |
| 10+ | 9.45 EUR |
| 100+ | 6.91 EUR |
| 600+ | 6.75 EUR |
| RGTH00TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.61 EUR |
| 10+ | 9.92 EUR |
| 100+ | 7.26 EUR |
| RGTH00TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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