RGTH00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Switching Type, 650V 30A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 10.51 EUR |
| 10+ | 9.05 EUR |
| 25+ | 8.13 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |
| 250+ | 7.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGTH00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RGTH00TS65DGC13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
RGTH00TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G |
Produkt ist nicht verfügbar |