Technische Details RGTH40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 72W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 20A, Power dissipation: 72W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 80A, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-off time: 141ns, Turn-on time: 47ns.
Weitere Produktangebote RGTH40TS65DGC11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGTH40TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTH40TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)