RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.44 EUR |
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| 100+ | 5.05 EUR |
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Technische Details RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 87W, Gate charge: 49nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 100A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Turn-off time: 172ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 25A, Collector-emitter voltage: 650V.
Weitere Produktangebote RGTH50TS65DGC11 nach Preis ab 5.65 EUR bis 7.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGTH50TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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