RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 6.25 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 25+ | 4.95 EUR |
| 100+ | 4.24 EUR |
| 250+ | 4.01 EUR |
| 450+ | 3.77 EUR |
| 900+ | 3.22 EUR |
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Technische Details RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, Verlustleistung Pd: 174, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote RGTH50TS65DGC11 nach Preis ab 4.75 EUR bis 6.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
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RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 174 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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| RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors |
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