RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Pulsed collector current: 100A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 172ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 87W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 25A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 49nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote RGTH50TS65DGC11 nach Preis ab 4.76 EUR bis 9.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
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RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 174 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 172ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 87W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RGTH50TS65DGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 172ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 87W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 49nC |
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