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Technische Details RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 25A, Power dissipation: 87W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 100A, Mounting: THT, Gate charge: 49nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 172ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.
Weitere Produktangebote RGTH50TS65DGC11 nach Preis ab 4.41 EUR bis 9.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGTH50TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
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