RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.44 EUR |
| 10+ | 6.24 EUR |
| 25+ | 5.89 EUR |
| 100+ | 5.05 EUR |
| 250+ | 4.77 EUR |
| 450+ | 4.49 EUR |
| 900+ | 3.83 EUR |
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Technische Details RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, Verlustleistung Pd: 174, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote RGTH50TS65DGC11 nach Preis ab 5.65 EUR bis 7.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGTH50TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 7.69 EUR |
| 10+ | 6.9 EUR |
| 100+ | 5.65 EUR |