RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.57 EUR |
| 10+ | 3.56 EUR |
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Technische Details RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote RGTH50TS65GC11 nach Preis ab 4.55 EUR bis 6.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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RGTH50TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
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RGTH50TS65GC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 174 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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