RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 5.25 EUR |
| 450+ | 4.97 EUR |
| 5400+ | 4.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote RGTH50TS65GC11 nach Preis ab 6.72 EUR bis 9.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||
 |
RGTH50TS65GC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 174 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |