RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.59 EUR |
| 51+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.22 EUR |
| 250+ | 3.06 EUR |
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Technische Details RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N, Power - Max: 197 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 58 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote RGTH60TS65GC11 nach Preis ab 3.06 EUR bis 3.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGTH60TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGTH60TS65GC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 49+ | 3.59 EUR |
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| 250+ | 3.06 EUR |