RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 117W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 160A, Mounting: THT, Gate charge: 79nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 194ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.
Weitere Produktangebote RGTH80TS65DG-C11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGTH80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench |
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| RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
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| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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